BSC048N025S G
PDF資料下載

BSC048N025S G參數：MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
標準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：89A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.8毫歐@50A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@35µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2670pF@15V
功率-最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）